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國產DRAM內存芯片和三星的技術差距大約是5年。

具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產第五代10nm級（1b或者說12nm）內存芯片，而國產DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。

一般而言，DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏，國產內存芯片有機會進一步縮短與三星的技術差距。然而，目前一個比較棘手的問題是，三星和SK海力士已經引入了EUV（極紫外光刻）設備用于生產更先進的DRAM芯片，而國產企業(yè)暫時還無法獲取這一設備。